CMP(Chemical Mechanical Planarization) 공정은 반도체 제조 과정에서 주로 사용되는 평탄화 공정으로, 층간 불균일성을 제거하고 표면을 평탄하게 만드는 역할을 합니다. CMP 공정은 다음과 같은 단계로 진행됩니다.
Wafer 준비:
CMP 공정은 반도체 Wafer(판)에서 이루어집니다. 먼저 Wafer를 청소하고 표면을 평탄하게 만듭니다.
Slurry 준비:
Slurry는 주로 액체 상태로 사용되며, 연마재 입자와 화학적 용매를 포함합니다.
Slurry는 특정 층을 연마하거나 폴리싱할 때 사용되는 연마재의 선택에 따라 다양한 조성으로 제조됩니다.
Pad 준비:
CMP 공정에서는 폴리싱을 위해 특수한 폴리싱 패드가 사용됩니다.
패드는 연마재와 함께 사용되며, 특정 표면 특성과 연마 효율을 제공하기 위해 설계됩니다.
Conditioning:
Conditioning은 패드와 Slurry의 특성을 최적화하기 위해 수행됩니다.
일반적으로 Conditioning은 패드 표면을 정리하고 연마재 입자를 적절하게 분산시키는 과정입니다.
연마:
Wafer를 CMP 장비에 적재하고, 패드 위에 위치시킵니다.
Slurry를 흘려가며 Wafer 표면과 패드 사이에서 연마가 진행됩니다.
이 과정에서 연마재 입자가 Wafer 표면을 연마하고, 표면을 평탄하고 균일하게 만듭니다.
세척:
CMP 후에는 Wafer 표면에 남은 Slurry 및 부산물을 제거하기 위해 세척이 수행됩니다.
세척 과정은 고순도의 용매나 용액을 사용하여 Wafer 표면을 청소하고 깨끗하게 합니다.
검사 및 후처리:
CMP 후에 Wafer의 표면 품질을 검사하고 측정합니다.
필요에 따라 추가적인 공정이 수행되며, 다음 단계로 전달될 수 있습니다.
위의 설명은 CMP 공정의 주요 단계에 대한 개략적인 설명입니다. 실제 CMP 공정은 제조 공정 및 장비에 따라 다소 차이가 있을 수 있으며, 추가적인 세부 단계와 공정 제어 요소가 포함될 수 있습니다. CMP는 반도체 제조 과정에서 중요한 역할을 하는 공정 중 하나이며, 정확한 공정 조건과 효율적인 제어가 필요합니다.