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1. 일반적인 CMP의 목표
1) 웨이퍼 상의 요철 층간 절연막을 평활한 평면으로 연마하여 공정의 DoF Margin을 확보
2) 두 가지 이상의 물질로 이루어진 층(Poly Si or W plug)을 동시에 노출 시키는 Isolation 을 위해 이종 재료를 동시에 연마
3) 금속 배선 다마신
4) 결함이 발생하지 않아야 함
2. CMP 성능 평가 방법
평탄도(Planarity), 연마율 (Removal Rate), 연마균일도 (WIWNU: With-In Wafer Non-Uniformity, WTWNU: Wafer to Wafer Non-Uniformity)
1) 평탄도: 평탄화의 정도 (Degree of Planarity, DP) CMP 이전의 단차의 높이 (Step Height)와 CMP 후의 단차의 높이를 비교해서 웨이퍼 평면 평평도
2) 연마율: 웨이퍼 전체에 연마 전후의 평균적인 박막두께의 변화량
3) 연마 균일도: 웨이퍼내 박막의 두께 변화, 웨이퍼 간의 연마균일도
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