728x90 전체 글53 CMP공정의 주요 소모품과 시장규모 CMP 공정은 다양한 소모품을 필요로 합니다. 이들 소모품은 반도체 제조에 있어 중요한 역할을 수행하며, 시장 규모도 상당히 큽니다. 1. CMP 슬러리: CMP 슬러리는 CMP 공정에서 가장 중요한 소모품 중 하나입니다. 슬러리는 반도체 웨이퍼 표면을 평탄화하고 불순물을 제거하기 위해 사용됩니다. 슬러리는 일반적으로 용매, 연마 입자, 화학 물질 및 첨가제로 구성됩니다. 전통적으로 주로 산화규소(화학적 기계적 연마) 슬러리가 사용되었지만, 최근에는 다양한 연마 입자와 새로운 소재가 개발되고 있습니다. CMP 슬러리 시장은 반도체 산업의 성장과 함께 성장하고 있으며, 예측에 따르면 약 2023년에는 14억 달러에 이를 것으로 예상됩니다. 2. CMP 패드: CMP 패드는 CMP 공정에서 웨이퍼와의 마찰 .. 2023. 5. 26. CMP공정의 개발 방향 CMP 공정은 반도체 제조 공정에서 중요한 역할을 수행하며, 개발과 개선이 지속적으로 이어지고 있습니다. 고성능 및 3D 구조에 대한 대응: 현대 반도체 기술은 점점 더 높은 성능과 3D 구조를 가지고 있습니다. 이에 따라 CMP 공정은 더 정밀하고 복잡한 특성에 대응하기 위해 발전해야 합니다. 새로운 CMP 슬러리 및 패드 소재의 개발, 공정 파라미터 최적화 등을 통해 고성능 및 3D 구조를 가진 칩에 대한 효율적인 CMP 공정을 구현할 수 있습니다. 낮은 소결합 및 저전력 소비: 최근 반도체 산업은 저전력 및 에너지 효율성을 강조하고 있습니다. CMP 공정의 개발 방향 중 하나는 낮은 소결합 및 저전력 소비를 실현하는 것입니다. 이를 위해 신규 슬러리 및 공정 개발이 필요하며, 기존 CMP 공정의 효.. 2023. 5. 26. CMP 역사, 시작과 시초, 현재 1. CMP공정의 시초와 시작 CMP(Chemical Mechanical Polishing)는 집적 회로의 정밀한 제조를 가능하게 하기 위해 실리콘 웨이퍼의 표면을 연마하고 평탄화하는 반도체 제조의 핵심 공정입니다. CMP의 역사는 1980년대 후반과 1990년대 초반으로 거슬러 올라가는데, 이때 CMP는 회로 밀도 증가로 인한 문제를 해결하기 위한 솔루션으로 개발되었습니다. 1980년대 후반, 반도체 산업이 더 작은 기능 크기와 더 높은 통합으로 이동함에 따라 평면화의 필요성이 분명해졌습니다. 식각 및 증착과 같은 전통적인 평면화 방법은 집적 회로의 복잡성 증가에 대해 원하는 수준의 평면성을 달성할 수 없었습니다. 이로 인해 CMP는 새로운 평면화 기법으로 개발되었습니다. 최초의 상용 CMP 시스템은 .. 2023. 5. 25. CMP의 목표, 성능평가 방법 1. 일반적인 CMP의 목표 1) 웨이퍼 상의 요철 층간 절연막을 평활한 평면으로 연마하여 공정의 DoF Margin을 확보 2) 두 가지 이상의 물질로 이루어진 층(Poly Si or W plug)을 동시에 노출 시키는 Isolation 을 위해 이종 재료를 동시에 연마 3) 금속 배선 다마신 4) 결함이 발생하지 않아야 함 2. CMP 성능 평가 방법 평탄도(Planarity), 연마율 (Removal Rate), 연마균일도 (WIWNU: With-In Wafer Non-Uniformity, WTWNU: Wafer to Wafer Non-Uniformity) 1) 평탄도: 평탄화의 정도 (Degree of Planarity, DP) CMP 이전의 단차의 높이 (Step Height)와 CMP 후의 단.. 2023. 5. 25. 이전 1 ··· 10 11 12 13 14 다음 728x90